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IRF3205S/IRF3205L
6000
5000
VGS = 0V,  f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
16
14
12
I D = 62A
V DS = 44V
V DS = 27V
V DS = 11V
4000
3000
Ciss
10
8
2000
1000
Coss
Crss
6
4
2
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
120
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 175 ° C
100
10
1000
100
10us
100us
1
T J = 25 ° C
10
1ms
0.1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0
2.6
1
1
T C = 25 °C
T J = 175 °C
Single Pulse
10
10ms
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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